국내 시가총액 2위 기업이자 최근 고대역폭 메모리(HBM) 시장 선점에 따라 주가가 고공 행진 중인 SK 하이닉스의 2023년 성과에 대해 알아 보고 향후 주가 전망은 어떠할 지 분석해 보았습니다.
SK 하이닉스 최근 실적
지난 1월 25일 실적발표회에서 하이닉스는 반도체 업황 반등으로 2023년 4분기 3460억원의 영업이익을 기록하며 2022년 4분기부터 이어진 영업적자에서 1년만에 흑자 전환에 성공하였다고 발표하였습니다.
<2023년 4분기 실적>
- 매출 : 11조 3055억 원
- 영업이익 : 3460억 원(영업이익률 3%)
- 순손실 : 1조 3795억 원(순손실률 12%)
<2023년 누적 실적>
2023년 전체 누적실적으로 보면 아래와 같습니다.
- 매출 : 32조 7657억 원
- 영업이익 : 손실 7조 7303억 원(영업손실률 24%)
- 순손실 : 9조 1375억 원(순손실률 28%)
비록 2023년 누적 실적은 손실이었지만 하이닉스는 HBM 양산으로 4분기 부터 영업 흑자가 계속될 것으로 보이며 이에 따라 주가상승 동력도 충분할 것으로 예상됩니다.
SK 하이닉스 주가 전망
하이닉스 현재 주가
2024년 3월 31일 기준 SK 하이닉스의 주가는 아래와 같습니다.
하이닉스는 1년전 82,700원 대비하여 2배가 넘 상승한 183,000원에 현재 거래되고 있습니다. 시가총액은 133조 2244억원으로 삼성전자 다음으로 국내에서 시가총액이 큰 기업입니다. PER은 현재 영업손실로 알수 없지만 추정 PER의 경우 16.26배 , PBR은 2.35배를 보여주고 있습니다.
2024월 4초 중 실적 발표가 있을 예정으로 좋은 실적이 나온다면 계속해서 상승랠리를 이어나갈 것으로 예상됩니다.
하이닉스 주가 전망
하이닉스의 현재 사업 전망을 분석해 향후 주가에 대해 예측해 보겠습니다.
1. 메모리칩 수출 회복세
지난 31일 블룸버그의 산하 연구기관인 블룸버그 인텔리전스에서 발표한 ‘한국 메모리칩 수출 회복’에 따르면 D램 수춧 회복세를 볼때 한국 기업들의 1분기 매출이 강하게 반등할 것으로 전망하고 있습니다. 지난 달 2월 낸드플래시 수주 또한 전년동기 82% 상승한 8억 9천만 달러로 집계되고 있습니다.
2024년 3분기 기준 D램 시장 점유율
삼성전자(39%), 하이닉스(34%), 마이크론(23%)2022년 기준 낸드플래시 시장 점유율
삼성전자(35%), 하이닉스(18%)
2. HBM 수요 확산
2024년 하이닉스의 주가 상승의 가장 큰 요인은 바로 HBM(고대역폭메모리)일 것입니다. HBM는 현재 AI칩에 필수적으로 쓰이는 메모리로 기존 D램을 수직으로 적층하여 대역폭을 혁신적으로 늘린 제품입니다. AI 학습은 여러 데이터가 병렬로 연산되기 때문에 고대역폭 메모리가 필수 적이기 떄문입니다.
하이닉스는 2022년 HBM3을 선보이며 시장에서 상당한 우위를 점한 상태입니다. HBM 비트 출하량은 2023년 전년대비 93% 증가했으며 2024년에는 147%증가할 것으로 예상됩니다. HBM의 수요는 2023부터 2029년까지 연평균 45%의 증가율을 보일것으로 전문가들은 예측하고 있습니다.
SK 하이닉스 사업 성과
2023년 주요 사업 성과
- 2023. 01 : 최고속 모바일용 D램 LPDDR5T 출시
- 2023. 04 : 최초 12당 적층 HBM3 개발
- 2023. 06 : 최고층 238단 4D 낸드 양산
- 2023. 08 : 세계 최고 사양 HBM3E 개발
- 2023. 11 : LPDDR5T 16GB 패키지 제품 상용화
2023년 연구 개발 주요 실적
1. 모바일용 DRAM
- LPDPPR5T : 현존 최고속 모바일용 D램으로 작년 양산에 성공한 LPDDR5X의 동작속도가 13% 빨라진 초당 9.6Gb
- LPDDR5X 24GB : LDDR5X에 이어 24GB까지 용량을 높인 패키지를 양산하여 글로벌 스마트폰회사에 공급 중
LPDDR(Low Power Double Data Rate) : 스마트폰 및 태블릿 등 모바일용 제품을 위한 D램 규격, 전력 소모 최소화를 목적으로 하고 있어 저전압 특성을 가지고 있음
2. HBM DRAM
- 12단 적층 HBM3 : D램 단품 칩 12개를 수직 적층한 현존 최고 용량인 24GB를 구현
- HBM3E : HBM3의 확장 제품으로 초당 최대 1.15TB 이상의 데이터 처리가 가능
HBM(High Bandwidth Memory) : 여러개의 D램을 수직으로 연결한 메모리로 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 높인 고부가가치 제품
3. 238단 4D NAND
238단 512Gb(기가비트) TLC 4D 낸드플래시 샘플 출시
- 2020년 12월 176단 낸드플래시 개발 이후 차세대 기술 개발에 성공
- 초당 2.4Gb의 데이터 전송속도로 이전 세대인 176단 대비 50% 향상 및 에너지 사용량 21% 감소
TLC(Triple Level Cell) : 낸드플래시는 한개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트)를 저장하느냐에 따라 SLC(1개), DLC(2개), TLC(3개) QLC(4개), PLC(5개)로 규격이 나뉨